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RS6G120BGTB1

RS6G120BGTB1

RS6G120BGTB1

NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE

compliant

RS6G120BGTB1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.60000 $3.6
500 $3.564 $1782
1000 $3.528 $3528
1500 $3.492 $5238
2000 $3.456 $6912
2500 $3.42 $8550
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.34mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4240 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 104W (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-HSOP
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

NTMFS4C054NT1G
NTMFS4C054NT1G
$0 $/morceau
MSJPF06N80A-BP
NVMYS029N08LHTWG
NVMYS029N08LHTWG
$0 $/morceau
NVHL040N65S3
NVHL040N65S3
$0 $/morceau
IPTG210N25NM3FDATMA1
MCG20N04-TP
MCG20N04-TP
$0 $/morceau
RF1S15N08L
RF1S15N08L
$0 $/morceau
G5P40L
G5P40L
$0 $/morceau

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