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SCT2280KEGC11

SCT2280KEGC11

SCT2280KEGC11

1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

compliant

SCT2280KEGC11 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $13.68000 $13.68
500 $13.5432 $6771.6
1000 $13.4064 $13406.4
1500 $13.2696 $19904.4
2000 $13.1328 $26265.6
2500 $12.996 $32490
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 1200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 18V
rds activé (max) à id, vgs 364mOhm @ 4A, 18V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1.4mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 18 V
vgs (max) +22V, -6V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 667 pF @ 800 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 108W (Tc)
température de fonctionnement 175°C
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247N
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

DMT6009LFG-7
IXTT140N10P-TRL
IXTT140N10P-TRL
$0 $/morceau
IRF642R
IRF642R
$0 $/morceau
BUK763R4-30,118
NTTFS5D1N06HLTAG
NTTFS5D1N06HLTAG
$0 $/morceau
FCPF20N60T
FCPF20N60T
$0 $/morceau

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