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STB23N80K5

STB23N80K5

STB23N80K5

MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK

compliant

STB23N80K5 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $2.57770 -
2,000 $2.46297 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1000 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 190W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IXFP56N30X3
IXFP56N30X3
$0 $/morceau
IRF7421D1TRPBF
RM27P30LD
RM27P30LD
$0 $/morceau
NDB6030L
PSMN3R3-40YS,115
FDMS86520
FDMS86520
$0 $/morceau
IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF
$0 $/morceau
SIR178DP-T1-RE3
IRL640STRRPBF
IRL640STRRPBF
$0 $/morceau

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