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STB80N4F6AG

STB80N4F6AG

STB80N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

compliant

STB80N4F6AG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $0.84640 -
2,000 $0.79580 -
5,000 $0.76038 -
10,000 $0.73508 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2150 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 70W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

MSC035SMA070S
FDV305N
FDV305N
$0 $/morceau
SIHF12N60E-E3
SIHF12N60E-E3
$0 $/morceau
BSS192PH6327FTSA1
RS1E180BNTB
RS1E180BNTB
$0 $/morceau
PMPB16XNEA115
PMPB16XNEA115
$0 $/morceau
DMT43M8LFV-7
RM24N200TI
RM24N200TI
$0 $/morceau

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