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STD3N62K3

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MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK

STD3N62K3 Fiche de données

compliant

STD3N62K3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.74844 -
5,000 $0.72072 -
12,500 $0.70560 -
1284 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 620 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 50µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 385 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 45W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DPAK
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

NTP125N02RG
NTP125N02RG
$0 $/morceau
STF13NM60N
STF13NM60N
$0 $/morceau
SCT3120ALHRC11
IPB80N03S4L-03
NTNS3A67PZT5G
NTNS3A67PZT5G
$0 $/morceau
IPD90N06S404ATMA2
FDP18N20F
FDP18N20F
$0 $/morceau
NVMYS3D3N06CLTWG
NVMYS3D3N06CLTWG
$0 $/morceau
SIHFZ48S-GE3
SIHFZ48S-GE3
$0 $/morceau
IRFBG20PBF-BE3
IRFBG20PBF-BE3
$0 $/morceau

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