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STL100N8F7

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MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT

SOT-23

non conforme

STL100N8F7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.34000 -
6,000 $1.29600 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 46.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3435 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 4.8W (Ta), 120W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerFlat™ (5x6)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

SI2312CDS-T1-BE3
XP235N2001TR-G
R6007KNJTL
R6007KNJTL
$0 $/morceau
2SK3199
2SK3199
$0 $/morceau
SI3424CDV-T1-BE3
SPA17N80C3XKSA1
ON5441518
ON5441518
$0 $/morceau
SUM70101EL-GE3
SUM70101EL-GE3
$0 $/morceau

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