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STL20N6F7

STL20N6F7

STL20N6F7

MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT

STL20N6F7 Fiche de données

compliant

STL20N6F7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.50170 -
6,000 $0.47937 -
15,000 $0.46342 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 5.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1600 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3W (Ta), 78W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

SI7116DN-T1-E3
SI7116DN-T1-E3
$0 $/morceau
SI4490DY-T1-GE3
SI4838DY-T1-E3
SI4838DY-T1-E3
$0 $/morceau
BSC050N10NS5ATMA1
RM18P100HDE
RM18P100HDE
$0 $/morceau
STP2NK90Z
STP2NK90Z
$0 $/morceau
IRFR110TRLPBF
IRFR110TRLPBF
$0 $/morceau
SIR638DP-T1-GE3
IPW65R065C7XKSA1

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