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SI7116DN-T1-E3

SI7116DN-T1-E3

SI7116DN-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8

compliant

SI7116DN-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.14120 -
6,000 $1.10160 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

SI4490DY-T1-GE3
SI4838DY-T1-E3
SI4838DY-T1-E3
$0 $/morceau
BSC050N10NS5ATMA1
RM18P100HDE
RM18P100HDE
$0 $/morceau
STP2NK90Z
STP2NK90Z
$0 $/morceau
IRFR110TRLPBF
IRFR110TRLPBF
$0 $/morceau
SIR638DP-T1-GE3
IPW65R065C7XKSA1
IMBF170R650M1XTMA1

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