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STP11NM60ND

STP11NM60ND

STP11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

compliant

STP11NM60ND Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.88000 $3.88
50 $3.11860 $155.93
100 $2.84130 $284.13
500 $2.30076 $1150.38
1,000 $1.94040 -
2,500 $1.84338 -
5,000 $1.77408 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 450mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 850 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 90W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IAUC120N04S6L008ATMA1
VN10KN3-G
VN10KN3-G
$0 $/morceau
PMCM4401VPEZ
PMCM4401VPEZ
$0 $/morceau
IRFS3607TRLPBF
STD16N65M2
STD16N65M2
$0 $/morceau
IPL60R1K5C6SATMA1
NTMJS1D5N04CLTWG
NTMJS1D5N04CLTWG
$0 $/morceau
AOT380A60L
STP75NF75
STP75NF75
$0 $/morceau
IRF8707TRPBF

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