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STS3DNE60L

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MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC

non conforme

STS3DNE60L Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.63140 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A
rds activé (max) à id, vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 815pF @ 25V
puissance - max 2W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

NVTJD4001NT2G
NVTJD4001NT2G
$0 $/morceau
SI1563DH-T1-GE3
SI3948DV-T1-E3
SI3948DV-T1-E3
$0 $/morceau
SI4943BDY-T1-GE3
SI4940DY-T1-GE3
AUIRF7319QTR
IRF7309PBF
BSO303PHXUMA1
SI6973DQ-T1-E3
SI6973DQ-T1-E3
$0 $/morceau
SP8K3FU6TB
SP8K3FU6TB
$0 $/morceau

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