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STU8N80K5

STU8N80K5

STU8N80K5

MOSFET N-CH 800V 6A TO251

SOT-23

STU8N80K5 Fiche de données

non conforme

STU8N80K5 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.22000 $4.22
75 $3.43787 $257.84025
150 $3.15407 $473.1105
525 $2.60065 $1365.34125
1,050 $2.23170 -
2,550 $2.13237 -
5,025 $2.06142 -
498 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 950mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 450 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 110W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-251 (IPAK)
paquet / étui TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Numéro de pièce associé

STP16NF06L
STP16NF06L
$0 $/morceau
FDS8870
FDS8870
$0 $/morceau
FDMS86520L
FDMS86520L
$0 $/morceau
IPA65R190CFDXKSA2
RMW150N03TB
RMW150N03TB
$0 $/morceau
NCV8440ASTT3G
NCV8440ASTT3G
$0 $/morceau
IPB180N03S4L01ATMA1
RQ3E180AJTB
RQ3E180AJTB
$0 $/morceau
BS107P
BS107P
$0 $/morceau

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