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IPB180N03S4L01ATMA1

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IPB180N03S4L01ATMA1

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

SOT-23

non conforme

IPB180N03S4L01ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $1.37090 -
30438 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 180A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.05mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 140µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 239 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 17600 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 188W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-7-3
paquet / étui TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Numéro de pièce associé

RQ3E180AJTB
RQ3E180AJTB
$0 $/morceau
BS107P
BS107P
$0 $/morceau
IPP015N04NGXKSA1
SIR466DP-T1-GE3
SI7772DP-T1-GE3
NTMFS4939NT1G
NTMFS4939NT1G
$0 $/morceau
BUK7610-55AL,118
CSD25402Q3A
CSD25402Q3A
$0 $/morceau
STU6N90K5
STU6N90K5
$0 $/morceau
BSS159NL6906

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