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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | P-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 20 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 76A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 1.8V, 4.5V |
rds activé (max) à id, vgs | 8.9mOhm @ 10A, 4.5V |
vgs(th) (max) à id | 1.15V @ 250µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 9.7 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±12V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1790 pF @ 10 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 2.8W (Ta), 69W (Tc) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | 8-VSONP (3x3.15) |
paquet / étui | 8-PowerVDFN |
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