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STW70N60DM2

STW70N60DM2

STW70N60DM2

MOSFET N-CH 600V 66A TO247

non conforme

STW70N60DM2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $12.35000 $12.35
30 $10.26900 $308.07
120 $9.34500 $1121.4
510 $7.95900 $4059.09
1,020 $7.03500 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 66A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 42mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 121 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5508 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 446W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247-3
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

STW28N60DM2
STW28N60DM2
$0 $/morceau
DMN3033LSNQ-13
PSMN6R3-120PS
PSMN6R3-120PS
$0 $/morceau
SIDR578EP-T1-RE3
SIAA02DJ-T1-GE3
RQ5E035ATTCL
RQ5E035ATTCL
$0 $/morceau
IPAN60R210PFD7SXKSA1
IPI65R190C6XKSA1
STB18N60M2
STB18N60M2
$0 $/morceau
DMT8012LK3-13

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