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STWA30N65DM6AG

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MOSFET N-CH 650V 28A TO247

non conforme

STWA30N65DM6AG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.65000 $6.65
500 $6.5835 $3291.75
1000 $6.517 $6517
1500 $6.4505 $9675.75
2000 $6.384 $12768
2500 $6.3175 $15793.75
3 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 28A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.75V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2000 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 284W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247 Long Leads
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IPW60R099CPFKSA1
NVTFS5C673NLTAG
NVTFS5C673NLTAG
$0 $/morceau
STF7N95K3
STF7N95K3
$0 $/morceau
PJS6417_S1_00001
SI4162DY-T1-GE3
STB200N6F3
STB200N6F3
$0 $/morceau
SISH112DN-T1-GE3
STW58N60DM2AG
AOB411L
IRFZ46ZSTRLPBF

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