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SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK

non conforme

SISH112DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.70520 -
6,000 $0.67209 -
15,000 $0.64844 -
91 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2610 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Tc)
température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SH
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SH
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Numéro de pièce associé

STW58N60DM2AG
AOB411L
IRFZ46ZSTRLPBF
FDMS86200DC
FDMS86200DC
$0 $/morceau
SPI12N50C3XKSA1
STF22N60DM6
STF22N60DM6
$0 $/morceau
NTMYS2D2N06CLTWG
NTMYS2D2N06CLTWG
$0 $/morceau
IPD85P04P4L06ATMA1
SQS420EN-T1_GE3
R6520ENJTL
R6520ENJTL
$0 $/morceau

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