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BSS123W

BSS123W

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100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO

BSS123W Fiche de données

compliant

BSS123W Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.11302 -
6,000 $0.10702 -
15,000 $0.09801 -
30,000 $0.09200 -
75,000 $0.08299 -
3065 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 160mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5Ohm @ 160mA, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 30 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 298mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-323
paquet / étui SC-70, SOT-323
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Numéro de pièce associé

FCH023N65S3-F155
FCH023N65S3-F155
$0 $/morceau
STD7N60DM2
STD7N60DM2
$0 $/morceau
IXFX360N10T
IXFX360N10T
$0 $/morceau
R6007END3TL1
R6007END3TL1
$0 $/morceau
STL90N3LLH6
STL90N3LLH6
$0 $/morceau
APT10M25BVRG
IPS050N03LG
IRF730ASTRLPBF
IRF730ASTRLPBF
$0 $/morceau
SIHU6N80E-GE3
SIHU6N80E-GE3
$0 $/morceau

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