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XP231N02013R-G

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XP231N02013R-G

MOSFET N-CH 30V 200MA SOT323-3

compliant

XP231N02013R-G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.06325 $0.06325
500 $0.0626175 $31.30875
1000 $0.061985 $61.985
1500 $0.0613525 $92.02875
2000 $0.06072 $121.44
2500 $0.0600875 $150.21875
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 200mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 5Ohm @ 10mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6.5 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 350mW (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-323-3A
paquet / étui SC-70, SOT-323
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Numéro de pièce associé

DMTH6016LFDFWQ-13
IPD60R600E6
STP20NF06L
STP20NF06L
$0 $/morceau
NVTFS014P04M8LTAG
NVTFS014P04M8LTAG
$0 $/morceau
AON6294
AUIRL3705ZSTRL
IRF100P218AKMA1
FQB5N50CTM
DMT615MLFV-13

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