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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | P-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 20 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 2A (Ta) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 1.5V, 4.5V |
| rds activé (max) à id, vgs | 112mOhm @ 1A, 4.5V |
| vgs(th) (max) à id | 1V @ 1mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 4.6 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±8V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 270 pF @ 10 V |
| fonctionnalité FET | Schottky Diode (Isolated) |
| puissance dissipée (max) | 1W (Ta) |
| température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| package d'appareils du fournisseur | 6-µDFN (2x2) |
| paquet / étui | 6-WDFN Exposed Pad |
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