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HCT802

HCT802

HCT802

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD

HCT802 Fiche de données

non conforme

HCT802 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
100 $31.75500 $3175.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 90V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A, 1.1A
rds activé (max) à id, vgs 5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 70pF @ 25V
puissance - max 500mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-SMD, No Lead
package d'appareils du fournisseur 6-SMD
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Numéro de pièce associé

IRF7341QTRPBF
DMN5L06VA-7
DMN5L06VA-7
$0 $/morceau
IRF7379PBF
IPB080N03LG
NDS9942
NDS9942
$0 $/morceau
SI4562DY-T1-E3
SI4562DY-T1-E3
$0 $/morceau
SI6993DQ-T1-GE3
SI1016X-T1-E3
SI1016X-T1-E3
$0 $/morceau
SI4814BDY-T1-E3
NDS8961
NDS8961
$0 $/morceau

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