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UJ3C065080B3

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UJ3C065080B3

UnitedSiC

MOSFET N-CH 650V 25A TO263

non conforme

UJ3C065080B3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $8.14000 $8.14
500 $8.0586 $4029.3
1000 $7.9772 $7977.2
1500 $7.8958 $11843.7
2000 $7.8144 $15628.8
2500 $7.733 $19332.5
5400 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie -
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 25A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 12V
rds activé (max) à id, vgs 111mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (max) à id 6V @ 10mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 15 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1500 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 115W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263 (D2Pak)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

CSD17579Q3A
CSD17579Q3A
$0 $/morceau
AOTF3N80
SPB02N60C3ATMA1
EPC2012C
EPC2012C
$0 $/morceau
IPD220N06L3GATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SSP2N60A
IRFR9014TRPBF
IRFR9014TRPBF
$0 $/morceau
IXTA08N100D2HV-TRL
IXTA08N100D2HV-TRL
$0 $/morceau
SIHG24N80AEF-GE3

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