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SI1302DL-T1-E3

SI1302DL-T1-E3

SI1302DL-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3

non conforme

SI1302DL-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.16642 -
6,000 $0.15628 -
15,000 $0.14614 -
30,000 $0.13904 -
75,000 $0.13830 -
2266 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 600mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 480mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 280mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-70-3
paquet / étui SC-70, SOT-323
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Numéro de pièce associé

SUD19P06-60-GE3
SIS780DN-T1-GE3
NTTFS2D1N04HLTWG
NTTFS2D1N04HLTWG
$0 $/morceau
ZXMN3B01FTC
ZXMN3B01FTC
$0 $/morceau
BSZ097N04LSGATMA1
IXFP8N85X
IXFP8N85X
$0 $/morceau
IXFA12N65X2
IXFA12N65X2
$0 $/morceau
FDP045N10A-F102
FDP045N10A-F102
$0 $/morceau
PHK31NQ03LT,518
PJA3414_R1_00001

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