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SI1965DH-T1-BE3

SI1965DH-T1-BE3

SI1965DH-T1-BE3

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

non conforme

SI1965DH-T1-BE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 12V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.2nC @ 8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 120pF @ 6V
puissance - max 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
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Numéro de pièce associé

SQ4917EY-T1_GE3
SIS903DN-T1-GE3
DMN62D0UT-13
RM4077S8
RM4077S8
$0 $/morceau
SIZ300DT-T1-GE3
DMC2710UDW-13
FW274-TL-E
FW274-TL-E
$0 $/morceau
SQ4961EY-T1_GE3
NVMFD5C478NLWFT1G
NVMFD5C478NLWFT1G
$0 $/morceau
ZXMN3A04DN8TA

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