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SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

compliant

SI2333DS-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.41000 -
6,000 $0.39075 -
15,000 $0.37700 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.1A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1100 pF @ 6 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 750mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

SQJA84EP-T1_BE3
IRFP4004PBF
BSH205G2AR
BSH205G2AR
$0 $/morceau
FDD8782
FDD8782
$0 $/morceau
IXTH50P10
IXTH50P10
$0 $/morceau
SIDR668DP-T1-RE3
PJA3415A_R1_00001
NVMFS4C302NT1G
NVMFS4C302NT1G
$0 $/morceau
SI2338DS-T1-BE3
BSC0805LSATMA1

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