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SI2338DS-T1-BE3

SI2338DS-T1-BE3

SI2338DS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

compliant

SI2338DS-T1-BE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.5A (Ta), 6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 28mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 424 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

BSC0805LSATMA1
SIHB22N60AE-GE3
SQJ402EP-T1_GE3
MMFT1N10ET1
MMFT1N10ET1
$0 $/morceau
P3M12160K3
APT6029BLLG
IPT60R102G7XTMA1
R6003KND3TL1
R6003KND3TL1
$0 $/morceau
FDS6612A
FDS6612A
$0 $/morceau

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