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SI3440DV-T1-GE3

SI3440DV-T1-GE3

SI3440DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP

non conforme

SI3440DV-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.65420 -
6,000 $0.62348 -
15,000 $0.60154 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 150 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.2A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 375mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.14W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

SIHF840LCS-GE3
SIHF840LCS-GE3
$0 $/morceau
EKI07174
EKI07174
$0 $/morceau
PSMN7R5-30MLDX
CSD17322Q5A
CSD17322Q5A
$0 $/morceau
SQD40061EL_GE3
SQD40061EL_GE3
$0 $/morceau
FDMC86262P
FDMC86262P
$0 $/morceau
IRFZ24STRLPBF
IRFZ24STRLPBF
$0 $/morceau
IRFR320TRLPBF
IRFR320TRLPBF
$0 $/morceau
AOD7N60

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