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SI3443BDV-T1-E3

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SI3443BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

non conforme

SI3443BDV-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.23862 -
6,000 $0.22408 -
15,000 $0.20954 -
30,000 $0.19936 -
5650 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.6A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.1W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

PJA3436_R1_00001
NTJS4151PT1G
NTJS4151PT1G
$0 $/morceau
RM42P30DN
RM42P30DN
$0 $/morceau
IPP80N06S405AKSA2
FQPF32N12V2
IPD12CN10NGATMA1
DMN6075S-13
DMN6075S-13
$0 $/morceau

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