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SI3456DDV-T1-E3

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SI3456DDV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

non conforme

SI3456DDV-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.13405 -
6,000 $0.12635 -
15,000 $0.11865 -
30,000 $0.10941 -
75,000 $0.10556 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 40mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 325 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

DMP2305UVT-7
AO4419
NTD20N06L-001
NTD20N06L-001
$0 $/morceau
PMPB100ENEX
PMPB100ENEX
$0 $/morceau
SISS30ADN-T1-GE3
IXFP5N100P
IXFP5N100P
$0 $/morceau
P3M12040K4

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