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SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

non conforme

SISS30ADN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.40000 $1.4
500 $1.386 $693
1000 $1.372 $1372
1500 $1.358 $2037
2000 $1.344 $2688
2500 $1.33 $3325
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 7.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1295 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S
paquet / étui PowerPAK® 1212-8S
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Numéro de pièce associé

IXFP5N100P
IXFP5N100P
$0 $/morceau
P3M12040K4
RM50N150DF
RM50N150DF
$0 $/morceau
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
$0 $/morceau
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1
$0 $/morceau
SQ4840EY-T1_GE3
SQM100N04-2M7_GE3
DMTH47M2LPSW-13

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