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SQM100N04-2M7_GE3

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SQM100N04-2M7_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

non conforme

SQM100N04-2M7_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $1.35564 $1084.512
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7910 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 157W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263 (D²Pak)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

DMTH47M2LPSW-13
STW69N65M5-4
STW69N65M5-4
$0 $/morceau
NVH4L018N075SC1
NVH4L018N075SC1
$0 $/morceau
IPLK80R900P7ATMA1
SIDR220EP-T1-RE3
RM45N600T7
RM45N600T7
$0 $/morceau
IPW65R075CFD7AXKSA1
NVMFS5C426NAFT3G
NVMFS5C426NAFT3G
$0 $/morceau
IPW60R099P7XKSA1

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