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SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

non conforme

SI3590DV-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.38985 -
6,000 $0.36455 -
15,000 $0.35190 -
30,000 $0.34500 -
300 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A, 1.7A
rds activé (max) à id, vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 830mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
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Numéro de pièce associé

NTJD4152PT1G
NTJD4152PT1G
$0 $/morceau
AON6926
SI5908DC-T1-GE3
CSD88599Q5DC
CSD88599Q5DC
$0 $/morceau
MCH6604-TL-E
MCH6604-TL-E
$0 $/morceau
FDY2000PZ
DMN3055LFDBQ-13
FS45MR12W1M1B11BOMA1
AO4884

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