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SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

non conforme

SI3900DV-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.45920 -
6,000 $0.43764 -
15,000 $0.42224 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A
rds activé (max) à id, vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 830mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
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Numéro de pièce associé

DMC2710UDWQ-13
MC7252KDW-TP
SISF20DN-T1-GE3
SH8K10SGZETB
SH8K10SGZETB
$0 $/morceau
PMDPB30XN,115
PMDPB30XN,115
$0 $/morceau
CSD83325LT
CSD83325LT
$0 $/morceau
SIZF928DT-T1-GE3
QH8JC5TCR
QH8JC5TCR
$0 $/morceau
DMG6601LVT-7

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