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SI4210DY-T1-GE3

SI4210DY-T1-GE3

SI4210DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

compliant

SI4210DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
28 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.5A
rds activé (max) à id, vgs 35.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 445pF @ 15V
puissance - max 2.7W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

QH8KB6TCR
QH8KB6TCR
$0 $/morceau
FDC6318P
FDC6318P
$0 $/morceau
CAR600M12HN6
CAR600M12HN6
$0 $/morceau
PJL9812_R2_00001
ECH8668-TL-H
ECH8668-TL-H
$0 $/morceau
PMV55ENEA,215
PMV55ENEA,215
$0 $/morceau
EFC4626R-TR
EFC4626R-TR
$0 $/morceau
PJS6601_S2_00001
NDS8934
NDS8934
$0 $/morceau
ALD110808ASCL

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