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SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

non conforme

SI4276DY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A
rds activé (max) à id, vgs 15.3mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 26nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1000pF @ 15V
puissance - max 3.6W, 2.8W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

AO4932
HUFA76407DK8TF085P
HUFA76407DK8TF085P
$0 $/morceau
AO8822#A
BSL205NL6327HTSA1
SI8900EDB-T2-E1
AO4619
SI4228DY-T1-E3
SI4228DY-T1-E3
$0 $/morceau
AON5802ALS
FDMS3660S-F121
FDMS3660S-F121
$0 $/morceau
IRF7325PBF

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