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SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

non conforme

SI4814BDY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A, 10.5A
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 3.3W, 3.5W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SI4567DY-T1-GE3
SI4511DY-T1-E3
SI4511DY-T1-E3
$0 $/morceau
IRF7910PBF
SI1553DL-T1-E3
SI1553DL-T1-E3
$0 $/morceau
LN60A01EP-LF
SP8K24FU6TB
SP8K24FU6TB
$0 $/morceau
AON4807
DMP2100UCB9-7
NVMFD5485NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT3G
$0 $/morceau

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