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SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

compliant

SI4816BDY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.84005 -
5,000 $0.81090 -
12,500 $0.79500 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.8A, 8.2A
rds activé (max) à id, vgs 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1W, 1.25W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

IRF7380TRPBF
BSD840NH6327XTSA1
2SK2727-E
DMN65D8LDW-7
PJS6806_S1_00001
IAUC45N04S6L063HATMA1
DMG1024UV-7
DMG1024UV-7
$0 $/morceau
IRF7105TRPBF
US6M11TR
US6M11TR
$0 $/morceau
SQ3989EV-T1_GE3

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