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SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

compliant

SI4830CDY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 950pF @ 15V
puissance - max 2.9W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

2N7002DW L6327
SP8K1FU6TB
SP8K1FU6TB
$0 $/morceau
IRF7301PBF
FDMD8580
FDMD8580
$0 $/morceau
AO4828L
SI4532ADY-T1-E3
AUIRFS4410ZTRL-INF
SI4952DY-T1-GE3
IRF7751TR
IRF7751TR
$0 $/morceau
2N7002PS/ZLH
2N7002PS/ZLH
$0 $/morceau

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