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SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

non conforme

SI4914DY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.5A, 5.7A
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W, 1.16W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

APTC60AM242G
SI1958DH-T1-E3
SI1958DH-T1-E3
$0 $/morceau
NVMFD5877NLWFT3G
NVMFD5877NLWFT3G
$0 $/morceau
EPC2103ENGRT
EPC2103ENGRT
$0 $/morceau
SI5947DU-T1-E3
SI5947DU-T1-E3
$0 $/morceau
AO4616L
SI4908DY-T1-E3
SI4908DY-T1-E3
$0 $/morceau
NTQD6968N
NTQD6968N
$0 $/morceau
IRF7910TRPBF
SP8J4TB
SP8J4TB
$0 $/morceau

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