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SI4925BDY-T1-GE3

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MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

non conforme

SI4925BDY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.81675 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.3A
rds activé (max) à id, vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMN63D8LDW-13
NDS9945
NDS9945
$0 $/morceau
AONY36354
DMN2053UVT-13
SSD2007ATF
DMG6302UDW-13
DMN1029UFDB-13
ZXMN2A04DN8TA
DMN2053UVT-7

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