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SI4966DY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

compliant

SI4966DY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c -
rds activé (max) à id, vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

IRF7902TRPBF
AO4924L
PMV65XPEA,215
PMV65XPEA,215
$0 $/morceau
NDS9957
NDS9957
$0 $/morceau
IRF7901D1
IRF7901D1
$0 $/morceau
SI7540DP-T1-GE3
IRF7306QTRPBF
SI5509DC-T1-E3
SI5509DC-T1-E3
$0 $/morceau
SI5517DU-T1-E3
SI5517DU-T1-E3
$0 $/morceau

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