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SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

non conforme

SI5515DC-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.4A, 3A
rds activé (max) à id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

NTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G
$0 $/morceau
NTHC5513T1
NTHC5513T1
$0 $/morceau
NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G
$0 $/morceau
SI5935DC-T1-GE3
SI6967DQ-T1-E3
SI6967DQ-T1-E3
$0 $/morceau
IRF7338TRPBF
PMV50ENEA,215
PMV50ENEA,215
$0 $/morceau
SI6983DQ-T1-E3
SI6983DQ-T1-E3
$0 $/morceau
SI6975DQ-T1-GE3
DMN5L06VK-13

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