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SI5902BDC-T1-GE3

SI5902BDC-T1-GE3

SI5902BDC-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

non conforme

SI5902BDC-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.62320 -
6,000 $0.59394 -
15,000 $0.57304 -
2094 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A
rds activé (max) à id, vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 220pF @ 15V
puissance - max 3.12W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

DMP2004DMK-7
AO4838
DMNH6065SSD-13
HS8K11TB
HS8K11TB
$0 $/morceau
IPA126N10N3G
SI7220DN-T1-E3
SI7220DN-T1-E3
$0 $/morceau
FDG6320C
FDG6320C
$0 $/morceau
FQB12N50TM
CAB011M12FM3
CAB011M12FM3
$0 $/morceau

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