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SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

compliant

SI5908DC-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.65600 -
6,000 $0.62520 -
15,000 $0.60320 -
1084 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.4A
rds activé (max) à id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
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Numéro de pièce associé

MCCD2004-TP
MCCD2004-TP
$0 $/morceau
AO6800
FDS3601
FDS3601
$0 $/morceau
NTZD3152PT1H
NTZD3152PT1H
$0 $/morceau
CSD87313DMS
CSD87313DMS
$0 $/morceau
SIA906EDJ-T1-GE3
RM2020ES9
RM2020ES9
$0 $/morceau

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