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SI6925ADQ-T1-GE3

SI6925ADQ-T1-GE3

SI6925ADQ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP

non conforme

SI6925ADQ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.3A
rds activé (max) à id, vgs 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 800mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
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Numéro de pièce associé

SI4561DY-T1-E3
SI4561DY-T1-E3
$0 $/morceau
AO4822AL
SI6562DQ-T1-GE3
IRF5852
IRF5852
$0 $/morceau
SI1970DH-T1-GE3
FDD8426H
FDD8426H
$0 $/morceau
MCS8804-TP
MCS8804-TP
$0 $/morceau
FDS4559-F085
FDS4559-F085
$0 $/morceau

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