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SI7328DN-T1-E3

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SI7328DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

non conforme

SI7328DN-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.03950 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 35A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.6mOhm @ 18.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 31.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2610 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.78W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

FDB045AN08A0
FDB045AN08A0
$0 $/morceau
SI6466DQ
BUK655R0-75C,127
BUK655R0-75C,127
$0 $/morceau
PHK18NQ03LT,518
RM25N30DN
RM25N30DN
$0 $/morceau
IXFK32N100X
IXFK32N100X
$0 $/morceau
BSC900N20NS3GATMA1
BUK9Y19-55B,115
APT24M80B
APT24M80B
$0 $/morceau
VN10KN3-G-P003

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