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SI7478DP-T1-E3

SI7478DP-T1-E3

SI7478DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

compliant

SI7478DP-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.20111 -
6,000 $1.15943 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.9W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

RM1A5N30S3AE
RM1A5N30S3AE
$0 $/morceau
UF3C065030B3
UF3C065030B3
$0 $/morceau
IPP80N06S2LH5AKSA2
BUK9Y3R0-40E,115
STFU8N60DM2
STFU8N60DM2
$0 $/morceau
FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
$0 $/morceau
SI7460DP-T1-GE3
DMN3069L-13
DMN3069L-13
$0 $/morceau
DMP6110SSS-13
SQD50N04-5M6_T4GE3

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