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SI7720DN-T1-GE3

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SI7720DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

compliant

SI7720DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.01440 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 12.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1790 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

AOTL66401
IPB70N10S3L12ATMA1
FDP047N08-F102
FDP047N08-F102
$0 $/morceau
STWA40N90K5
STWA40N90K5
$0 $/morceau
IXTT100N25P
IXTT100N25P
$0 $/morceau
AUIRFS8409-7P
IXTQ52N30P
IXTQ52N30P
$0 $/morceau
SIJ462DP-T1-GE3
IXFA76N15T2
IXFA76N15T2
$0 $/morceau

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