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SI7842DP-T1-E3

SI7842DP-T1-E3

SI7842DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

non conforme

SI7842DP-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.3A
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.4W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

AO4826
IRF7555TR
IRF7555TR
$0 $/morceau
SP8M9FU6TB
SP8M9FU6TB
$0 $/morceau
SI1972DH-T1-E3
SI1972DH-T1-E3
$0 $/morceau
BSO615CGHUMA1
LN60A01ES-LF
SI1023X-T1-E3
SI1023X-T1-E3
$0 $/morceau
SI5920DC-T1-GE3
AOP607

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