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SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

SOT-23

non conforme

SI7922DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.90345 -
6,000 $0.87210 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.8A
rds activé (max) à id, vgs 195mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
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Numéro de pièce associé

SPA20N60CFD
NTMD4N03R2G
NTMD4N03R2G
$0 $/morceau
NTMFD4C88NT1G
NTMFD4C88NT1G
$0 $/morceau
MCH6613-TL-E
MCH6613-TL-E
$0 $/morceau
NTQD6968NR2G
NTQD6968NR2G
$0 $/morceau
SI6913DQ-T1-GE3
EPC2100ENGRT
EPC2100ENGRT
$0 $/morceau
AON3818
ZXMP6A16DN8TC
IAUC60N04S6N050HATMA1

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