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SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

non conforme

SI7956DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.78182 -
6,000 $1.71912 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 150V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.6A
rds activé (max) à id, vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 26nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.4W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

FQS4900TF
FDMQ86530L
FDMQ86530L
$0 $/morceau
UM6K31NTN
UM6K31NTN
$0 $/morceau
DMG1016VQ-13
FDS8934A
IPG20N10S436AATMA1
IPG20N10S4L35ATMA1
DMP2004DWK-7
SH8K12TB1
SH8K12TB1
$0 $/morceau

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